ZnGeP2 – nasičena infrardeča nelinearna optika
Opis izdelka
Zaradi teh edinstvenih lastnosti je znan kot eden najbolj obetavnih materialov za nelinearne optične aplikacije. ZnGeP2 lahko ustvari 3–5 μm neprekinjeno nastavljiv laserski izhod s tehnologijo optičnega parametričnega nihanja (OPO). Laserji, ki delujejo v atmosferskem prepustnem oknu 3–5 μm, so zelo pomembni za številne aplikacije, kot so infrardeči merilniki, kemični nadzor, medicinski aparati in daljinsko zaznavanje.
Ponujamo lahko ZnGeP2 visoke optične kakovosti z izredno nizkim absorpcijskim koeficientom α < 0,05 cm-1 (pri valovnih dolžinah črpalke 2,0–2,1 µm), ki se lahko uporabi za ustvarjanje srednje infrardečega nastavljivega laserja z visoko učinkovitostjo s postopki OPO ali OPA.
Naša zmogljivost
Tehnologija dinamičnega temperaturnega polja je bila ustvarjena in uporabljena za sintezo polikristalnega ZnGeP2. S to tehnologijo je bilo v eni seriji sintetiziranih več kot 500 g polikristalnega ZnGeP2 visoke čistosti z velikimi zrni.
Metoda vodoravnega gradientnega zamrznitve v kombinaciji s tehnologijo Directional Necking (ki lahko učinkovito zmanjša gostoto dislokacij) je bila uspešno uporabljena za rast visokokakovostnega ZnGeP2.
Visokokakovosten ZnGeP2 na kilogramski ravni z največjim premerom na svetu (Φ55 mm) je bil uspešno gojen z metodo Vertical Gradient Freeze.
Površinska hrapavost in ravnost kristalnih naprav, manjša od 5Å oziroma 1/8λ, sta bili doseženi z našo tehnologijo fine površinske obdelave past.
Končno odstopanje kota kristalnih naprav je manjše od 0,1 stopinje zaradi uporabe natančne orientacije in natančnih tehnik rezanja.
Naprave z odlično zmogljivostjo so bile dosežene zaradi visoke kakovosti kristalov in tehnologije obdelave kristalov na visoki ravni (3-5 μm srednji infrardeči nastavljiv laser je bil ustvarjen z učinkovitostjo pretvorbe, večjo od 56 %, ko ga črpa 2 μm svetloba vir).
Naša raziskovalna skupina je z nenehnim raziskovanjem in tehničnimi inovacijami uspešno obvladala tehnologijo sinteze polikristalnega ZnGeP2 visoke čistosti, tehnologijo rasti velike velikosti in visoke kakovosti ZnGeP2 ter kristalno orientacijo in visoko natančno tehnologijo obdelave; lahko zagotovi naprave ZnGeP2 in izvirne kristale v masnem obsegu z visoko enotnostjo, nizkim absorpcijskim koeficientom, dobro stabilnostjo in visoko učinkovitostjo pretvorbe. Hkrati smo vzpostavili celoten nabor platform za testiranje zmogljivosti kristalov, zaradi česar lahko strankam nudimo storitve testiranja zmogljivosti kristalov.
Aplikacije
● Druga, tretja in četrta harmonska generacija CO2-laserja
● Optično parametrično generiranje s črpanjem pri valovni dolžini 2,0 µm
● Generacija druge harmonike CO-laserja
● Proizvaja koherentno sevanje v submilimetrskem območju od 70,0 µm do 1000 µm
● Generiranje kombiniranih frekvenc sevanja CO2- in CO-laserjev ter drugi laserji delujejo v območju prosojnosti kristalov.
Osnovne lastnosti
| Kemični | ZnGeP2 |
| Kristalna simetrija in razred | štirikotna, -42m |
| Parametri rešetke | a = 5,467 Å c = 12,736 Å |
| Gostota | 4,162 g/cm3 |
| Mohsova trdota | 5.5 |
| Optični razred | Pozitivno enoosno |
| Uporaben obseg prenosa | 2,0 um - 10,0 um |
| Toplotna prevodnost @ T= 293 K | 35 W/m∙K (⊥c) 36 W/m∙K (∥ c) |
| Toplotna ekspanzija @ T = 293 K do 573 K | 17,5 x 106 K-1 (⊥c) 15,9 x 106 K-1 (∥ c) |
Tehnični parametri
| Toleranca premera | +0/-0,1 mm |
| Toleranca dolžine | ±0,1 mm |
| Orientacijska toleranca | <30 kotnih minut |
| Kakovost površine | 20-10 SD |
| Ravnost | <λ/4@632.8 nm |
| Paralelizem | <30 ločnih sekund |
| Pravokotnost | <5 kotnih minut |
| Posnemanje | <0,1 mm x 45° |
| Razpon preglednosti | 0,75 - 12,0 µm |
| Nelinearni koeficienti | d36 = 68,9 pm/V (pri 10,6 μm) d36 = 75,0 pm/V (pri 9,6 μm) |
| Prag škode | 60 MW/cm2 ,150ns@10.6μm |
